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技术文档
型号
KMB3D9N40TA
品牌
KEC
utmel 编号
2998-KMB3D9N40TA
商品类别
晶体管 - 特殊用途
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 40V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSM, 3 PIN
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KMB3D9N40TA详情
技术参数
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KEC KMB3D9N40TA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
KEC CORP
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Drain Current-Max (ID)
3.9 A
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.045 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
16 A
DS 击穿电压-最小值
40 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
技术文档: KEC KMB3D9N40TA.
KMB3D9N40TA拓展信息
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公司资质
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型号:2SC3202
封装:--
品牌:KEC
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