对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 晶体管元件材料 | Collector-Emitter Saturation Voltage | 包装 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 电压 - 额定直流 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 极性 | 配置 | 元素配置 | 功率耗散 | 晶体管应用 | 极性/通道类型 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | JEDEC-95代码 | 转换频率 | 集电极基极电压(VCBO) | 发射极基极电压 (VEBO) | 集电极电流-最大值(IC) | 最小直流增益(hFE) | 连续集电极电流 | 集电极-发射器电压-最大值 | 关断时间-最大值(toff) | 接通时间-最大值(ton) | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||
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2N5769 | Texas Instruments | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N5769 | MICROSS/On Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 4 Weeks | NO | SILICON | 1 | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 3 | BOTTOM | THROUGH-HOLE | unknown | O-PBCY-T3 | SINGLE | SWITCHING | NPN | TO-92 | 0.2A | 20 | 15V | 18ns | 12ns | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N5769 | Micross | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | -- | -- | -- | -- | * | 活跃 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N5769 | Fairchild (ON Semiconductor) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | TO-92 | 3 | 201mg | 500mV | 15V | 1 | 350mW | 40 | Bulk | e1 | yes | 3 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 150°C | -55°C | 15V | BOTTOM | NOT APPLICABLE | 200mA | NOT APPLICABLE | 3 | 不合格 | NPN | Single | 350mW | SWITCHING | 15V | 200mA | 500MHz | 40V | 4.5V | 20 | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N5769 PBFREE | Central Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | TO-92-3 | Details | 通孔 | 500 mV | NPN | 15 V | 4.5 V | 500 mA | 350 mW | 500 MHz | - 65 C | + 150 C | 20 at 1 V, 100 mA | 120 at 0.35 V, 10 mA | 2500 | Bulk | 2N5769 | Single | 40 V | 200 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N5769 TIN/LEAD | Central Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | TO-92-3 | Details | 通孔 | 500 mV | NPN | 15 V | 4.5 V | 500 mA | 350 mW | 500 MHz | - 65 C | + 150 C | 20 at 1 V, 100 mA | 120 at 0.35 V, 10 mA | 2500 | Bulk | 2N5769 | Single | 40 V | 200 mA |
2N5769
Texas Instruments
分类:Transistors - Bipolar (BJT) - Single
2N5769
MICROSS/On Semiconductor
分类:Transistors - Bipolar (BJT) - Single
2N5769
Micross
分类:Transistors - Bipolar (BJT) - Single
2N5769
Fairchild (ON Semiconductor)
分类:Transistors - Bipolar (BJT) - Single
2N5769 PBFREE
Central Semiconductor
分类:Transistors - Bipolar (BJT) - Single
2N5769 TIN/LEAD
Central Semiconductor
分类:Transistors - Bipolar (BJT) - Single


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