Laird 06N

表面安装

YES

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

BSC028N06NS

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5

Risk Rank

1.59

Samacsys Description

MOSFET N-Channel 60V 100A OptiMOS TDSON8 Infineon BSC028N06NS N-channel MOSFET Transistor, 100 A, 60 V, 8-Pin TDSON

Drain Current-Max (ID)

23 A

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

JESD-609代码

e3

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-F5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.0028 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

100 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR