LEMO EGN26C210I2D

安装类型

表面贴装

包装/外壳

44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

表面安装

YES

供应商器件包装

44-TSOP II

终端数量

2

晶体管元件材料

氮化镓

Memory Types

Volatile

Package Description

FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Manufacturer Part Number

EGN26C210I2D

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD

Risk Rank

5.76

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

附加功能

HIGH RELIABILITY

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

3 V ~ 3.6 V

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

Reach合规守则

unknown

基本部件号

IDT71V416

引脚数量

2

JESD-30代码

R-CDFM-F2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

内存大小

4Mb (256K x 16)

操作模式

DEPLETION MODE

箱体转运

SOURCE

访问时间

10ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

晶体管应用

AMPLIFIER

写入周期时间 - 字符、页面

10ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

DS 击穿电压-最小值

160 V

场效应管技术

高电子迁移率

最高频段

S带