FMU03N60G详情
LEMO FMU03N60G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
FMU03N60G
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
FUJI ELECTRIC CO LTD
Part Package Code
TO-252
Package Description
FLANGE MOUNT, R-XSFM-T4
Risk Rank
5.84
Drain Current-Max (ID)
3 A
Number of Elements
1
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
JESD-30代码
R-XSFM-T4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252
漏极-源极导通最大电阻
2.8 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
12 A
DS 击穿电压-最小值
600 V
雪崩能量等级(Eas)
237.3 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FMU03N60G拓展信息
LEMO
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