MRF134
MRF134

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

价格梯度

内地含税价

  • 1

    ¥349.094539

  • 10

    ¥329.334469

  • 100

    ¥310.692897

  • 500

    ¥293.106509

  • 1000

    ¥276.515573

MA-COM MRF134

  • 收藏
  • 对比

型号

MRF134

品牌

MA-COM

utmel 编号

1510-MRF134

商品类别

分立半导体产品

封装

211-07-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, CASE 211-07, 4 PIN

起订量

--最小包装量--

单价:

总价:

添加到询价列表
MRF134
MRF134 MA-COM RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, CASE 211-07, 4 PIN

单价: $

合计:

库存:300

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

MRF134详情

MA-COM MRF134重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    211-07-3

  • 表面安装

    NO

  • 供应商器件包装

    211-07, Style 2

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Drain Source Voltage (Max)

    65(V)

  • Continuous Drain Current

    0.9(A)

  • Power Gain (Typ)@Vds

    14(dB)

  • Package Type

    CASE 211-07

  • Input Capacitance (Typ)@Vds

    7@28V(pF)

  • Operating Temp Range

    -65C to 150C

  • Power Dissipation (Max)

    17500(mW)

  • Output Power (Max)

    5

  • Channel Mode

    Enhancement

  • Drain Efficiency (Typ)

    55(%)

  • Number of Elements

    1

  • Frequency(Max)

    400(MHz)

  • Rad Hardened

  • Mounting

    Screw

  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

    65 V

  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

    3.5 V

  • Pd - Power Dissipation

    17.5 W

  • Transistor Polarity

    N-Channel

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • Vgs - Gate-Source Voltage

    40 V

  • Unit Weight

    0.321169 oz

  • Minimum Operating Temperature

    - 65 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    20

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Manufacturer

    MACOM

  • Brand

    MACOM

  • RoHS

    Details

  • Id - Continuous Drain Current

    900 mA

  • Package

    Tray

  • 厂商

    MACOM技术解决方案

  • Product Status

    活跃

  • Voltage Rated

    65 V

  • Rds On - Drain-Source Resistance

    -

  • Package Description

    CASE 211-07, 4 PIN

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

  • Manufacturer Package Code

    CASE 211-07

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    200 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    MRF134

  • Package Shape

    ROUND

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS INC

  • Risk Rank

    1.54

  • Drain Current-Max (ID)

    0.9 A

  • Usage Level

    Military grade

  • 包装

    Tray

  • 系列

    -

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    射频功率MOSFET

  • 子类别

    MOSFETs

  • 额定电流

    900mA

  • 技术

    Si

  • 端子位置

    RADIAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 频率

    400MHz

  • 引脚数量

    4

  • JESD-30代码

    O-CRFM-F4

  • 资历状况

    不合格

  • 工作频率

    400 MHz

  • 配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 输出功率

    5 W

  • 测试电流

    50 mA

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 产品类别

    射频MOSFET晶体管

  • 晶体管类型

    N-Channel

  • 增益

    11 dB

  • 筛选水平

    Military

  • DS 击穿电压-最小值

    65 V

  • 信道型

    N

  • 功率 - 输出

    5W

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    17.5 W

  • 噪声图

    2dB

  • 电压-测试

    28 V

  • 最高频段

    超高频段

  • 产品类别

    射频MOSFET晶体管

0个相似型号

MRF134拓展信息

JAN1N4531UR
JAN1N4531UR

MACOM Technology Solutions

JANTX1N4531UR
JANTX1N4531UR

MACOM Technology Solutions

MA4E1340A-1146T
MA4E1340A-1146T

MACOM Technology Solutions

JANTXV1N4531UR
JANTXV1N4531UR

MACOM Technology Solutions

MRF150
MRF150

MA-COM

MRF426
MRF426

MA-COM

MRF173
MRF173

MA-COM

MRF151
MRF151

MA-COM

MRF587
MRF587

MA-COM

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z