MA-COM MRF173

底架

Screw

包装/外壳

221-11-3

表面安装

NO

引脚数

4

供应商器件包装

211-11, Style 2

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Drain Source Voltage (Max)

65(V)

Continuous Drain Current

9(A)

Power Gain (Typ)@Vds

13(dB)

Package Type

CASE 211-11

Input Capacitance (Typ)@Vds

110@28V(pF)

Operating Temp Range

-65C to 200C

Power Dissipation (Max)

220000(mW)

Output Power (Max)

80

Channel Mode

Enhancement

Drain Efficiency (Typ)

60(%)

Number of Elements

1

Frequency(Max)

200(MHz)

Rad Hardened

无

Mounting

Screw

Voltage, Rating

65 V

RoHS

Compliant

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

65 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

3 V

Pd - Power Dissipation

220 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

40 V

Unit Weight

0.352203 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

20

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

MACOM

Brand

MACOM

Id - Continuous Drain Current

9 A

Package

Tray

厂商

MACOM技术解决方案

Product Status

活跃

Voltage Rated

65 V

Rds On - Drain-Source Resistance

-

Package Description

FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Manufacturer Package Code

CASE 211-11

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MRF173

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS INC

Risk Rank

1.55

Drain Current-Max (ID)

9 A

Usage Level

Military grade

包装

Tray

系列

-

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

射频功率MOSFET

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

MOSFETs

额定电流

9A

最大功率耗散

220 W

技术

Si

端子位置

RADIAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

9 A

频率

150 MHz

引脚数量

4

JESD-30代码

O-CRFM-F4

资历状况

不合格

工作频率

200 MHz

配置

Single

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

输出功率

80 W

测试电流

50 mA

晶体管应用

AMPLIFIER

测试电流

50 mA

漏源电压 (Vdss)

65 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

射频MOSFET晶体管

晶体管类型

N-Channel

连续放电电流(ID)

9 A

栅极至源极电压(Vgs)

40 V

增益

13 dB

最高频率

200 MHz

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9 A

筛选水平

Military

漏源击穿电压

65 V

DS 击穿电压-最小值

65 V

信道型

N

功率 - 输出

80W

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

220 W

噪声图

1.5 dB

电压-测试

28 V

最高频段

甚高频段

测试电压

28 V

产品类别

射频MOSFET晶体管

辐射硬化

无

无铅

无铅