MA-COM UF28100M

底架

Screw

表面安装

YES

引脚数

5

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Drain Source Voltage (Max)

65(V)

Continuous Drain Current

12(A)

Power Gain (Typ)@Vds

10(Min)(dB)

Input Capacitance (Typ)@Vds

135(MAX)@28V(pF)

Operating Temp Range

-55C to 200C

Power Dissipation (Max)

250000(mW)

Output Power (Max)

100

Channel Mode

Enhancement

Drain Efficiency (Typ)

50(Min)(%)

Number of Elements

1

Frequency(Max)

500(MHz)

Rad Hardened

无

Mounting

Screw

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

10

Manufacturer

MACOM

Brand

MACOM

RoHS

Details

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

UF28100M

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

TE CONNECTIVITY LTD

Risk Rank

5.32

Drain Current-Max (ID)

12 A

Usage Level

Military grade

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.29.00.75

子类别

MOSFETs

最大功率耗散

250 W

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

5

JESD-30代码

R-CDFM-F4

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

射频MOSFET晶体管

连续放电电流(ID)

12 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最高频率

500 MHz

筛选水平

Military

DS 击穿电压-最小值

65 V

信道型

N

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

反馈上限-最大值 (Crss)

24 pF

最高频段

超高频段

环境耗散-最大值

250 W

频率(分钟)

100(MHz)

功率增益-最小值(Gp)

10 dB

产品类别

射频MOSFET晶体管

辐射硬化

无