MA-COM UF28100V

包装/外壳

744A-01

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

65 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

6 V

Pd - Power Dissipation

250 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

20 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

10

Mounting Styles

SMD/SMT

Forward Transconductance - Min

1.5 S

Manufacturer

MACOM

Brand

MACOM

RoHS

Details

Id - Continuous Drain Current

12 A

Package Description

FLANGE MOUNT, R-CDFM-F8

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

UF28100V

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS INC

Risk Rank

5.2

Drain Current-Max (ID)

12 A

包装

Tray

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

射频功率MOSFET

附加功能

低噪音

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-CDFM-F8

资历状况

不合格

工作频率

100 MHz to 500 MHz

配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

输出功率

100 W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

射频MOSFET晶体管

增益

10 dB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

12 A

DS 击穿电压-最小值

65 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

250 W

最高频段

超高频段

产品类别

射频MOSFET晶体管