注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
MDS5652URH
品牌
MagnaChip
utmel 编号
1520-MDS5652URH
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
MDS5652URH详情
技术参数
MagnaChip MDS5652URH重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
8
终端数量
晶体管元件材料
SILICON
Schedule B
8541290080
Number of Elements
2
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
17.4 ns
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
MagnaChip Semiconductor Ltd
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD
Risk Rank
5.73
Drain Current-Max (ID)
7.5 A
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
最大功率耗散
2 W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
JESD-30代码
R-PDSO-G8
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
接通延迟时间
3.8 ns
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏极-源极导通最大电阻
0.022 Ω
输入电容
460 pF
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
35 mΩ
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
长度
5 mm
辐射硬化
无
达到SVHC
unknown
MDS5652URH拓展信息
公司资质
购物车 (0件产品)