MDS5652URH
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MagnaChip MDS5652URH

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型号

MDS5652URH

品牌

MagnaChip

utmel 编号

1520-MDS5652URH

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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MDS5652URH MagnaChip Small Signal Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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MDS5652URH详情

MagnaChip MDS5652URH重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    8

  • 终端数量

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Schedule B

    8541290080

  • Number of Elements

    2

  • RoHS

    Compliant

  • Turn Off Delay Time

    17.4 ns

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    MDS5652URH

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    MagnaChip Semiconductor Ltd

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD

  • Risk Rank

    5.73

  • Drain Current-Max (ID)

    7.5 A

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 最大功率耗散

    2 W

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G8

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    2 W

  • 接通延迟时间

    3.8 ns

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    7.5 A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20 V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.022 Ω

  • 输入电容

    460 pF

  • DS 击穿电压-最小值

    30 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 漏源电阻

    35 mΩ

  • 宽度

    4 mm

  • 高度

    1.5 mm

  • 长度

    5 mm

  • 辐射硬化

  • 达到SVHC

    unknown

0个相似型号

MDS5652URH拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS