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技术文档
型号
MDU1514URH
品牌
MagnaChip
utmel 编号
1520-MDU1514URH
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 66.3A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DFN56, 8 PIN
起订量
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MDU1514URH详情
技术参数
MagnaChip MDU1514URH重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
8
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
27 ns
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
MagnaChip Semiconductor Ltd
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD
Risk Rank
1.55
Drain Current-Max (ID)
66.3 A
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
最大功率耗散
46.2 W
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
JESD-30代码
R-PDSO-F5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
5.5 W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
7.9 ns
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
66 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏极-源极导通最大电阻
0.006 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
100 A
输入电容
1.217 nF
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
79 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
9 mΩ
宽度
5.1 mm
高度
1.1 mm
长度
6.1 mm
辐射硬化
无
达到SVHC
unknown
MDU1514URH拓展信息
公司资质
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