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技术文档
型号
MDU1517RH
品牌
MagnaChip
utmel 编号
1520-MDU1517RH
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 96A I(D), 30V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DFN56, 8 PIN
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MDU1517RH详情
技术参数
MagnaChip MDU1517RH重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
8
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
42.6 ns
Package Description
DFN56, 8 PIN
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
MagnaChip Semiconductor Ltd
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD
Risk Rank
1.56
Drain Current-Max (ID)
96 A
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
最大功率耗散
73.5 W
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
JESD-30代码
R-PDSO-F5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
5.5 W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
12.6 ns
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
100 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏极-源极导通最大电阻
0.0029 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
输入电容
2.521 nF
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
187 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
4.4 mΩ
宽度
5.1 mm
高度
1.1 mm
长度
6.1 mm
辐射硬化
无
达到SVHC
unknown
MDU1517RH拓展信息
公司资质
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