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MDU5593SVRH

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MagnaChip MDU5593SVRH

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对比

型号

MDU5593SVRH

品牌

utmel 编号

1520-MDU5593SVRH

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor

起订量

1最小包装量--

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MDU5593SVRH

MDU5593SVRH MagnaChip Power Field-Effect Transistor

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MDU5593SVRH详情

技术参数

MagnaChip MDU5593SVRH重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
Continuous Drain Current

13@FET 1/21@FET 2(A)
Drain-Source On-Volt

30(V)
Operating Temperature Classification

Military
Package Type

DFN EP
Operating Temp Range

-55C to 150C
Gate-Source Voltage (Max)

±20(V)
Channel Mode

Enhancement
Number of Elements

2
Rad Hardened

无
Mounting

表面贴装
Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080
RoHS

Non-Compliant
Package Description

,
Reflow Temperature-Max (s)

未说明
Rohs Code

有
Manufacturer Part Number

MDU5593SVRH
Manufacturer

MagnaChip Semiconductor Ltd
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD
Risk Rank

8.61
包装

卷带
类型

功率MOSFET
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
Reach合规守则

unknown
引脚数量

8
极性

N

0个相似型号

MDU5593SVRH拓展信息

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