注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
MDV1522URH
品牌
MagnaChip
utmel 编号
1520-MDV1522URH
商品类别
无类别的
封装
4-SMD, No Lead
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Trans MOSFET N-CH 30V 19.9A 8-Pin Power DFN EP T/R
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
MDV1522URH详情
技术参数
MagnaChip MDV1522URH重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
表面贴装
包装/外壳
表面安装
YES
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
SG-8101
厂商
EPSON
Product Status
活跃
Package Description
DFN33, 8 PIN
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
MagnaChip Semiconductor Ltd
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Ihs Manufacturer
MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD
Risk Rank
5.73
Drain Current-Max (ID)
28 A
操作温度
-40°C ~ 85°C
系列
尺寸/尺寸
0.197 L x 0.126 W (5.00mm x 3.20mm)
类型
XO (Standard)
电压 - 供电
1.8V ~ 3.3V
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
频率
41.440041 MHz
频率稳定性
±15ppm
输出量
CMOS
JESD-30代码
S-PDSO-F5
功能
Standby (Power Down)
基本谐振器
Crystal
最大电流源
6.8mA (Typ)
电流 - 电源(禁用)(最大值)
1.1µA
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
扩频带宽
-
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.0049 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
136 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
绝对牵引范围 (APR)
座位高度(最大)
0.051 (1.30mm)
达到SVHC
unknown
评级结果
MDV1522URH拓展信息
公司资质
购物车 (0件产品)