MAXIM Dallas DS1265AB-100-IND
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DS1265AB-100-IND详情
MAXIM Dallas DS1265AB-100-IND重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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表面安装
NO
终端数量
36
Package Description
0.600 INCH, DIP-36
Package Style
IN-LINE
Number of Words Code
1000000
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Equivalence Code
DIP36,.6
Operating Temperature-Min
-40 °C
Access Time-Max
100 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
DS1265AB-100-IND
Number of Words
1048576 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
达拉斯半导体
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
DALLAS SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.78
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
10 YEAR DATA RETENTION PERIOD
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
PIN/PEG
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
JESD-30代码
R-XDIP-P36
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.25 V
电源
5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.75 V
端口的数量
1
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.085 mA
组织结构
1MX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.00015 A
记忆密度
8388608 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
NON-VOLATILE SRAM MODULE
输出启用
YES
达到SVHC
unknown
DS1265AB-100-IND拓展信息








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