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MDD(Microdiode Semiconductor) MDD12N65F
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MDD12N65F
2817-MDD12N65F
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
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大陆
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650V 12A 42W 640mΩ@10V,6A 2V@250uA 1 N-Channel TO-220F MOSFETs ROHS
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MDD12N65F详情
MDD(Microdiode Semiconductor) MDD12N65F重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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Drain Source Voltage (Vdss)
650V
Power Dissipation (Pd)
42W
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)
640mΩ@10V,6A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)
2V@250uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
7.4pF@25V
Input Capacitance (Ciss@Vds)
2nF@25V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)
41.9nC@10V
类型
1 N-Channel
Continuous Drain Current (Id)
12A
MDD12N65F拓展信息
Zetex
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MDD(Microdiode Semiconductor)
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