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MDD(Microdiode Semiconductor) MDD15N10D
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MDD15N10D
2817-MDD15N10D
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
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大陆
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100V 15A 28W 95mΩ@10V,10A 1.8V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS
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MDD15N10D详情
MDD(Microdiode Semiconductor) MDD15N10D重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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Drain Source Voltage (Vdss)
100V
Power Dissipation (Pd)
28W
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)
95mΩ@10V,10A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)
1.8V@250uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
30pF@50V
Input Capacitance (Ciss@Vds)
1.07nF@50V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)
26nC@10V
类型
1 N-Channel
Continuous Drain Current (Id)
15A
MDD15N10D拓展信息
Zetex
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MDD(Microdiode Semiconductor)
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