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MDD(Microdiode Semiconductor) MDD4N65D
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MDD4N65D
2817-MDD4N65D
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
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大陆
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650V 4A 77W 2.5Ω@10V,2A 2V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS
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MDD4N65D详情
MDD(Microdiode Semiconductor) MDD4N65D重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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Drain Source Voltage (Vdss)
650V
Power Dissipation (Pd)
77W
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)
2.5Ω@10V,2A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)
2V@250uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
3.2pF@25V
Input Capacitance (Ciss@Vds)
600pF@25V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)
12nC@10V
类型
1 N-Channel
Continuous Drain Current (Id)
4A
MDD4N65D拓展信息
Zetex
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MDD(Microdiode Semiconductor)
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