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MDD(Microdiode Semiconductor) MDD50N03D
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MDD50N03D
2817-MDD50N03D
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
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大陆
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30V 50A 28W 6.5mΩ@10V,20A 1.5V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS
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MDD50N03D详情
MDD(Microdiode Semiconductor) MDD50N03D重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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Total Gate Charge (Qg@Vgs)
23.6nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)
1.015nF@15V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
164pF@15V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)
1.5V@250uA
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)
6.5mΩ@10V,20A
Power Dissipation (Pd)
28W
Drain Source Voltage (Vdss)
30V
类型
1 N-Channel
Continuous Drain Current (Id)
50A
MDD50N03D拓展信息
Zetex
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MDD(Microdiode Semiconductor)
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