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Microchip 1002MP

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型号

1002MP

品牌

Microchip

utmel 编号

1610-1002MP

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 射频

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN 50V 0.25A 3-Pin Case 55FW-1

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1002MP
1002MP Microchip Trans GP BJT NPN 50V 0.25A 3-Pin Case 55FW-1

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1002MP详情

Microchip 1002MP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    Production (Last Updated: 2 months ago)

  • 底架

    Chassis Mount, Surface Mount

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    3

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Voltage, Rating

    200 V

  • Case Code - in

    2010

  • Case Code - mm

    5025

  • Maximum Operating Temperature

    + 125 C

  • Unit Weight

    0.001199 oz

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    4000

  • Mounting Styles

    PCB 安装

  • Part # Aliases

    8-1879522-5

  • Manufacturer

    TE Connectivity

  • Brand

    TE Connectivity / Holsworthy

  • RoHS

    Details

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    50 V

  • Number of Elements

    1

  • Package Description

    DISK BUTTON, O-CRDB-F4

  • Package Style

    磁盘按钮

  • Package Body Material

    CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

  • Manufacturer Package Code

    CASE 55FW-1

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    200 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    1002MP

  • Package Shape

    ROUND

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    MICROSEMI CORP

  • Risk Rank

    5.66

  • 系列

    CRGH

  • 包装

    MouseReel

  • 容差

    1 %

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 温度系数

    100 PPM / C

  • 类型

    大功率电阻器

  • 电阻

    1 MOhms

  • 最高工作温度

    200 °C

  • 最小工作温度

    -40 °C

  • 应用

    高功率

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • 子类别

    Resistors

  • 额定功率

    1 W

  • 最大功率耗散

    7 W

  • 技术

    厚膜

  • 端子位置

    RADIAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 频率

    1.215 GHz

  • 引脚数量

    4

  • 终端样式

    SMD/SMT

  • JESD-30代码

    O-CRDB-F4

  • 资历状况

    不合格

  • 极性

    NPN

  • 配置

    SINGLE

  • 功率耗散

    7 W

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 产品类别

    厚膜电阻器

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    50 V

  • 最大集电极电流

    250 mA

  • 增益

    11 dB

  • 转换频率

    960 MHz

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    3.5 V

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.25 A

  • 最高频段

    L带

  • 集电极-基极电容-最大值

    5 pF

  • 产品

    贴片厚膜电阻器

  • 特征

    -

  • 产品类别

    Thick Film Resistors - SMD

  • 宽度

    2.5 mm

  • 高度

    0.55 mm

  • 长度

    5 mm

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