Microchip 1N2985B

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

NO

安装类型

Chassis, Stud Mount

包装/外壳

DO-203AA, DO-4, Stud

底架

Chassis, Stud

引脚数

2

供应商器件包装

DO-213AA

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

Manufacturer Part Number

1N2985B

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

DO-4

Package Description

HERMETIC SEALED, GLASS, DO-4, 1 PIN

Risk Rank

5.24

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Operating Temperature-Min

-65 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

POST/STUD MOUNT

Power Dissipation (Max)

10 W

Reference Voltage-Nom

22 V

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package

Bulk

Base Product Number

1N2985

Impedance (Max) (Zzt)

5 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

微芯片技术

RoHS

N

操作温度

-65°C ~ 175°C

系列

-

包装

Tray

容差

±5%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb) - with Nickel (Ni) barrier

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.10.00.50

最大功率耗散

10 W

端子位置

UPPER

终端形式

SOLDER LUG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

1

JESD-30代码

O-MUPM-D1

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

阻抗

5 Ω

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

10 µA @ 16.7 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.5 V @ 2 A

箱体转运

ANODE

功率 - 最大

10 W

最大反向漏电电流

10 µA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

22 V

齐纳电压

22 V

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

5%

JEDEC-95代码

DO-203AA

工作测试电流

115 mA

动态阻抗-最大值

5 Ω

产品类别

齐纳二极管

辐射硬化

有