Microchip 1N4106UR

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

触点镀层

Lead, Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-213AA (Glass)

表面安装

YES

引脚数

2

供应商器件包装

DO-213AA

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

RoHS

Non-Compliant

Schedule B

8541100050, 8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050

Package

Bulk

Base Product Number

1N4106

Impedance (Max) (Zzt)

200 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

Discontinued at Digi-Key

Package Description

O-LELF-R2

Package Style

长式

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

GLASS

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Reference Voltage-Nom

12 V

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

1N4106UR

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.54

Part Package Code

DO-213AA

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 175°C

系列

-

容差

5 %

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

冶金结合

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

电压基准二极管

最大功率耗散

500 mW

技术

ZENER

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

O-LELF-R2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

阻抗

200 Ω

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

50 nA @ 9.12 V

功率耗散

400 mW

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.1 V @ 200 mA

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

500 mW

最大反向漏电电流

50 nA

测试电流

250 µA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

12 V

齐纳电压

12 V

最大电压允差

5%

JEDEC-95代码

DO-213AA

工作测试电流

0.25 mA

电压允差

5 %

动态阻抗-最大值

200 Ω

无铅

含铅