Microchip 1N4749UR-1

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-213AB, MELF (Glass)

底架

表面贴装

引脚数

2

供应商器件包装

DO-213AB (MELF, LL41)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

1N4749UR-1

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

DO-213AB

Package Description

HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2

Risk Rank

1.35

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Package Body Material

GLASS

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Power Dissipation (Max)

1 W

Reference Voltage-Nom

24 V

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package

Bulk

Impedance (Max) (Zzt)

25 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Schedule B

8541100050, 8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050

RoHS

Non-Compliant

操作温度

-65°C ~ 175°C (TA)

系列

-

包装

Bulk

容差

±10%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

JESD-30代码

O-LELF-R2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

5 µA @ 18.2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.2 V @ 200 mA

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

1 W

最大反向漏电电流

5 µA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

24 V

齐纳电压

24 V

最大电压允差

10%

JEDEC-95代码

DO-213AB

工作测试电流

10.5 mA

辐射硬化

有