1N4960US详情
Microchip 1N4960US重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
4-SMD, No Lead
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
D-5B
Package
Bulk
Base Product Number
1N4960
Impedance (Max) (Zzt)
2.5 Ohms
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Ir - Reverse Current
10 uA
Zz - Zener Impedance
2.5 Ohms
Ir - Maximum Reverse Leakage Current
10 uA
Pd - Power Dissipation
5 W
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Unit Weight
0.019013 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
SMD/SMT
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
If - Forward Current
1 A
Vz - Zener Voltage
12 V
RoHS
N
Voltage Temperature Coefficient
0.07 %/C
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SiT8208
操作温度
-20°C ~ 70°C
尺寸/尺寸
0.106 L x 0.094 W (2.70mm x 2.40mm)
容差
±5%
零件状态
活跃
类型
XO (Standard)
子类别
Diodes & Rectifiers
电压 - 供电
1.8V
频率
19.44MHz
频率稳定性
±10ppm
输出量
LVCMOS, LVTTL
功能
Standby (Power Down)
基本谐振器
MEMS
最大电流源
31mA
电流 - 电源(禁用)(最大值)
10µA
配置
Single
反向泄漏电流@ Vr
10 µA @ 9.1 V
功率耗散
5
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.5 V @ 1 A
功率 - 最大
5 W
测试电流
100 mA
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
12 V
产品类别
齐纳二极管
电压允差
5 %
绝对牵引范围 (APR)
--
齐纳电流
10 uA
Vf-正向电压
1.5 V
产品类别
齐纳二极管
座位高度(最大)
0.032 (0.80mm)
长度
5.72 mm
评级结果
--
1N4960US拓展信息
Microchip Technology
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