Microchip 1N5276BUR-1

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-213AA

底架

表面贴装

引脚数

2

供应商器件包装

DO-213AA

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Reference Voltage-Nom

150 V

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Package Style

长式

Package Shape

ROUND

Package Body Material

GLASS

Operating Temperature-Max

175 °C

Number of Elements

1

Moisture Sensitivity Levels

1

Risk Rank

5.05

Package Description

HERMETIC SEALED, GLASS, MLL34, MELF-2

Part Package Code

DO-213AA

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Life Cycle Code

活跃

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

1N5276BUR-1

Package

Bulk

Base Product Number

1N5276

Impedance (Max) (Zzt)

1500 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

RoHS

Compliant

Zz - Zener Impedance

1500 Ohms

Ir - Maximum Reverse Leakage Current

0.1 uA

Pd - Power Dissipation

500 mW

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Unit Weight

0.001411 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Brand

微芯片技术

Vz - Zener Voltage

150 V

Voltage Temperature Coefficient

0.11 %/C

操作温度

-65°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

包装

Bulk

容差

±5%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.10.00.50

最大功率耗散

500 mW

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

JESD-30代码

O-LELF-R2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

100 nA @ 114 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.1 V @ 200 mA

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

500 mW

最大反向漏电电流

100 nA

测试电流

0.85 mA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

150 V

齐纳电压

150 V

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

5%

JEDEC-95代码

DO-213AA

工作测试电流

0.85 mA

电压允差

5 %

齐纳电流

0.1 uA

动态阻抗-最大值

1500 Ω

Vf-正向电压

1.1 V

产品类别

齐纳二极管

辐射硬化

有