Microchip 1N5335BE3

底架

通孔

表面安装

NO

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

RoHS

Compliant

Package Description

O-PALF-W2

Package Style

长式

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Reference Voltage-Nom

3.9 V

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

1N5335BE3

Power Dissipation (Max)

5 W

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.65

包装

Tape & Reel (TR)

容差

5 %

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

纯哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

电压基准二极管

最大功率耗散

5 W

技术

ZENER

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

O-PALF-W2

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

阻抗

2 Ω

二极管类型

泽纳电极

箱体转运

ISOLATED

齐纳电压

3.9 V

最大电压允差

5%

工作测试电流

320 mA

动态阻抗-最大值

2 Ω