Microchip 1N5356B/TR8

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

T-18, Axial

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

2

供应商器件包装

T-18

材料

铍铜

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

1N5356

Impedance (Max) (Zzt)

3 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

RoHS

Compliant

Package Description

O-PALF-W2

Package Style

长式

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Reference Voltage-Nom

19 V

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

1N5356B/TR8

Power Dissipation (Max)

5 W

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.06

Zz - Zener Impedance

3 Ohms

Pd - Power Dissipation

5 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Mounting Styles

通孔

Vz - Zener Voltage

19 V

Voltage Temperature Coefficient

-

系列

127

操作温度

-65°C ~ 150°C

包装

Tape & Reel

容差

±5%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

应用

Sheet Metal

HTS代码

8541.10.00.50

最大功率耗散

5 W

技术

ZENER

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

O-PALF-W2

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

阻抗

3 Ω

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

500 nA @ 13.7 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.2 V @ 1 A

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

5 W

最大反向漏电电流

500 nA

测试电流

65 mA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

19 V

齐纳电压

19 V

最大电压允差

5%

工作测试电流

65 mA

电压允差

5 %

设计

Lok Tainer

齐纳电流

500 nA

完成

Cadmium Plated, Yellow Chromate

辐射硬化

无