1N5362CE3/TR8详情
Microchip 1N5362CE3/TR8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
表面安装
NO
安装类型
通孔
包装/外壳
T-18, Axial
底架
通孔
引脚数
2
供应商器件包装
T-18
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Manufacturer Part Number
1N5362CE3/TR8
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Package Description
O-PALF-W2
Risk Rank
5.09
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
ROUND
Package Style
长式
Power Dissipation (Max)
5 W
Reference Voltage-Nom
28 V
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
1N5362
Impedance (Max) (Zzt)
6 Ohms
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
RoHS
Compliant
操作温度
-65°C ~ 150°C
系列
-
包装
Tape & Reel
容差
±2%
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
纯哑光锡
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
HTS代码
8541.10.00.50
最大功率耗散
5 W
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
JESD-30代码
O-PALF-W2
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
阻抗
6 Ω
元素配置
Single
二极管类型
泽纳电极
反向泄漏电流@ Vr
500 nA @ 20.1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2 V @ 1 A
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
5 W
最大反向漏电电流
500 nA
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
28 V
齐纳电压
28 V
最大电压允差
2%
工作测试电流
50 mA
辐射硬化
无
1N5362CE3/TR8拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology








哦! 它是空的。