1N5380AE3/TR13详情
Microchip 1N5380AE3/TR13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
DO-41-2
底架
通孔
Breakdown Voltage / V
225 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Vesd - Voltage ESD Contact
30 kV
Unit Weight
0.011852 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
5000
Ipp - Peak Pulse Current
1.1 A
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
400 W
Manufacturer
Panjit
Brand
Panjit
RoHS
Details
Vesd - Voltage ESD Air Gap
30 kV
包装
弹药包
容差
10 %
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
最大功率耗散
5 W
终端样式
Axial
工作电压
202 V
极性
双向
通道数量
1 Channel
阻抗
170 Ω
箝位电压
360 V
齐纳电压
120 V
产品类别
TVS 二极管
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes
辐射硬化
无
1N5380AE3/TR13拓展信息
Microchip Technology
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