1N5381BE3/TR8详情
Microchip 1N5381BE3/TR8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
Radial, Can - Snap-In - 4 Lead
底架
通孔
表面安装
NO
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
表面贴装的焊盘尺寸
--
Lead Free Status / RoHS Status
--
Voltage Rated
400V
Lifetime @ Temp.
5000 Hrs @ 85°C
RoHS
Compliant
Package Description
O-PALF-W2
Package Style
长式
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Reference Voltage-Nom
130 V
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
1N5381BE3/TR8
Power Dissipation (Max)
5 W
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Microsemi Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.08
操作温度
-40°C ~ 85°C
系列
B43510
包装
Bulk
尺寸/尺寸
1.378 Dia (35.00mm)
容差
±20%
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
--
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
纯哑光锡
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
应用
通用型
HTS代码
8541.10.00.50
电容量
680µF
最大功率耗散
5 W
技术
ZENER
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
JESD-30代码
O-PALF-W2
ESR(等效串联电阻)
95 mOhm @ 100Hz
极性
UNIDIRECTIONAL
引线间距
0.984 (25.00mm)
配置
SINGLE
极化
Polar
阻抗
110 mOhms
元素配置
Single
二极管类型
泽纳电极
纹波电流@低频
3.68A @ 100Hz
箱体转运
ISOLATED
最大反向漏电电流
500 nA
齐纳电压
130 V
最大电压允差
5%
工作测试电流
10 mA
座位高度(最大)
2.449 (62.20mm)
辐射硬化
无
评级结果
--
1N5381BE3/TR8拓展信息
Microchip Technology
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