1N5530BUR-1详情
Microchip 1N5530BUR-1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
DO-213AA
底架
表面贴装
引脚数
2
供应商器件包装
DO-213AA
Package
Bulk
Base Product Number
1N5530
Impedance (Max) (Zzt)
60 Ohms
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
RoHS
Non-Compliant
Unit Weight
0.001411 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
SMD/SMT
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
操作温度
-65°C ~ 175°C (TJ)
系列
-
包装
Bulk
容差
±5%
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
子类别
Diodes & Rectifiers
最大功率耗散
500 mW
元素配置
Single
反向泄漏电流@ Vr
50 nA @ 9.1 V
功率耗散
500
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.1 V @ 200 mA
功率 - 最大
500 mW
最大反向漏电电流
50 nA
测试电流
1 mA
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
10 V
齐纳电压
10 V
产品类别
齐纳二极管
电压允差
5 %
产品类别
齐纳二极管
辐射硬化
无
无铅
含铅
1N5530BUR-1拓展信息
Microchip Technology
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