Microchip 1N5535B

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

供应商器件包装

DO-35

Package

Bulk

Base Product Number

1N5535

Impedance (Max) (Zzt)

102 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Ir - Reverse Current

10 nA

Zz - Zener Impedance

100 Ohms

Ir - Maximum Reverse Leakage Current

10 nA

Pd - Power Dissipation

500 mW

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Unit Weight

0.005291 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Vz - Zener Voltage

15 V

RoHS

N

Voltage Temperature Coefficient

-

操作温度

-20°C ~ 70°C

系列

SiT8208

包装

Tape & Reel (TR)

尺寸/尺寸

0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)

容差

±5%

零件状态

活跃

类型

XO (Standard)

子类别

Diodes & Rectifiers

电压 - 供电

2.5V

频率

27MHz

频率稳定性

±10ppm

输出量

LVCMOS, LVTTL

功能

Enable/Disable

基本谐振器

MEMS

最大电流源

33mA

电流 - 电源（禁用）（最大值）

31mA

配置

Single

反向泄漏电流@ Vr

10 nA @ 13.5 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.1 V @ 200 mA

功率 - 最大

500 mW

测试电流

1 mA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

15 V

产品类别

齐纳二极管

电压允差

5 %

绝对牵引范围 (APR)

--

齐纳电流

25 mA

Vf-正向电压

1.1 V

产品类别

齐纳二极管

座位高度(最大)

0.032 (0.80mm)

宽度

-

高度

-

长度

3.71 mm

直径

1.7 mm

评级结果

--