Microchip 1N5655A

表面安装

NO

包装/外壳

DO-13-2

安装类型

通孔

供应商器件包装

DO-13

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Manufacturer Part Number

1N5655A

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SENSITRON SEMICONDUCTOR

Package Description

O-LALF-W2

Risk Rank

5.74

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

GLASS

Breakdown Voltage / V

86.1 V

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.049384 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

13.3 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

1.5 kW

Brand

微芯片技术

RoHS

N

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Package

Bulk

Base Product Number

1N5655

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

锡铅

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

5 uA

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-LALF-W2

工作电压

70.1 V

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

77.9V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

13.3A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

113V

箝位电压

113 V

电压 - 反向断态（典型值）

70.1V

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

70.1 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

击穿电压-最小值

77.9 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes