Microchip 1N5660A

安装类型

底座安装

包装/外壳

Radial, 3 Lead, Tubular

表面安装

NO

供应商器件包装

DO-13

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Lead Free Status / RoHS Status

--

Supplier Package

DO-13

Peak Pulse Power Dissipation

1500 W

Direction Type

Uni-Directional

Mounting

通孔

Package

Bulk

Base Product Number

1N5660

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Breakdown Voltage / V

137 V

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.049384 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

8.4 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

1.5 kW

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

N

Package Description

O-LALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

1N5660A

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SENSITRON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.76

系列

RSSD

包装

Bulk

操作温度

-65 to 175 °C

容差

±5%

JESD-609代码

e0

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

--

终端

焊片

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

电阻

220 Ohms

端子表面处理

锡铅

应用

通用型

功率(瓦特)

200W

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

5 uA

引脚数量

2

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-LALF-W2

工作电压

111 V

极性

单向

配置

Single

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

124V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

8.4A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

179V

箝位电压

179 V

电压 - 反向断态（典型值）

111V

测试电流

1 mA

单向通道

1

调整类型

Slide

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

111 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

ESD保护

有

击穿电压-最小值

124 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes

长度

6.614 (168.00mm)

直径

1.063 OD, 0.646 ID (27.00mm x 16.40mm)