Microchip 1N5662A

表面安装

NO

包装/外壳

DO-13-2

安装类型

通孔

供应商器件包装

DO-13

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

1N5662A

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

DO-13

Package Description

HERMETIC SEALED, METAL GLASS, DO-13, 2 PIN

Risk Rank

1.92

Breakdown Voltage-Nom

160 V

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Operating Temperature-Min

-65 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Power Dissipation (Max)

1 W

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Supplier Package

DO-13

Peak Pulse Power Dissipation

1500 W

Direction Type

Uni-Directional

Mounting

通孔

Breakdown Voltage / V

168 V

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Unit Weight

0.049384 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

6.8 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

1.5 kW

Brand

微芯片技术

RoHS

N

Package

Bulk

Base Product Number

1N5662

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

操作温度

-65 to 175 °C

包装

Bulk

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

5 uA

引脚数量

2

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-MALF-W2

资历状况

不合格

工作电压

136 V

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

CATHODE

电源线保护

无

电压 - 击穿

152V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

6.8A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

219V

箝位电压

219 V

电压 - 反向断态（典型值）

136V

测试电流

1 mA

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

136 V

JEDEC-95代码

DO-202AA

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

ESD保护

有

击穿电压-最小值

152 V

最大箝位电压

219 V

击穿电压-最大值

168 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes