1N5947BP/TR12详情
Microchip 1N5947BP/TR12重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
36-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)
底架
通孔
引脚数
2
供应商器件包装
36-SOJ
Memory Types
Volatile
RoHS
Compliant
操作温度
0°C ~ 70°C (TA)
系列
--
包装
Tube
容差
5 %
零件状态
活跃
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
1.5 W
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
3 V ~ 3.6 V
内存大小
4Mb (512K x 8)
阻抗
160 Ω
元素配置
Single
访问时间
10ns
最大反向漏电电流
1 µA
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
齐纳电压
82 V
辐射硬化
无
1N5947BP/TR12拓展信息
Microchip Technology
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