Microchip 1N6052A

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-13

表面安装

NO

供应商器件包装

DO-13

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Supplier Package

DO-13

Peak Pulse Power Dissipation

1500 W

Direction Type

Bi-Directional

Mounting

通孔

Package

Bulk

Base Product Number

1N6052

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Type

DO-13

Operating Temp Range

-55C to 175C

Reverse Stand-off Voltage

30(V)

Number of Elements

1

Rad Hardened

有

Test Current (It)

1(mA)

Breakdown Voltage / V

37.8 V

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.049384 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

30 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

1.5 kW

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

N

Schedule B

8541100080, 8541100080/8541100080, 8541100080/8541100080/8541100080, 8541100080/8541100080/8541100080/8541100080

Package Description

O-MALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

1N6052A

Power Dissipation (Max)

1 W

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.9

Part Package Code

DO-13

操作温度

-65 to 175 °C

系列

-

包装

Bag

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-MALF-W2

资历状况

不合格

工作电压

30 V

极性

Bi-Directional

配置

Single

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

34.2V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

30A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

49.9V

箝位电压

49.9(V)

电压 - 反向断态（典型值）

30V

峰值脉冲电流

30(A)

测试电流

1 mA

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

30 V

JEDEC-95代码

DO-202AA

电容@频率

-

反向击穿电压

34.2(V)

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

ESD保护

有

最大泄漏电流

0.005(uA)

击穿电压-最小值

34.2 V

击穿电压-最大值

37.8 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes