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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥68.35813
10
¥64.488804
100
¥60.838491
500
¥57.394801
1000
¥54.146045
1N6312US详情
Microchip 1N6312US重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SQ-MELF, B
供应商器件包装
B, SQ-MELF
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Manufacturer Part Number
1N6312US
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Package Description
HERMETIC SEALED, GLASS, B, D-5D, 2 PIN
Risk Rank
1.72
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
GLASS
Package Shape
ROUND
Package Style
长式
Power Dissipation (Max)
0.5 W
Reference Voltage-Nom
3.3 V
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package
Bulk
Base Product Number
1N6312
Impedance (Max) (Zzt)
27 Ohms
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
操作温度
-65°C ~ 175°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500/533
容差
±5%
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
METALLURGICALLY BONDED, HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
端子位置
END
终端形式
环绕
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
JESD-30代码
O-LELF-R2
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
泽纳电极
反向泄漏电流@ Vr
5 µA @ 1 V
功率耗散
500
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.4 V @ 1 A
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
500 mW
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
3.3 V
最大电压允差
5%
工作测试电流
20 mA
动态阻抗-最大值
24 Ω
1N6312US拓展信息
Microchip Technology
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