Microchip 1N6355US

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SQ-MELF, B

表面安装

YES

供应商器件包装

B, SQ-MELF

材料

Metal

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Pitch thread

1.5

Surface protection

Nickel-plated

Glass-fibre reinforced

无

For Ex-Zone dust

None

Thread length

6

Degree of protection (IP)

IP68

Explosion-tested version

无

Suitable for cable diameter

7 - 12

With locknut

无

Thread type

Metric

With strain relief

无

Nominal thread size metric/PG

20

Wrench width

22

Material quality

Brass

Bend radius protection/trumpet flare

无

For Ex-zone gas

None

Shock resistant

有

Model

Straight

Package

Bulk

Base Product Number

1N6355

Impedance (Max) (Zzt)

1800 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

HERMETIC SEALED, GLASS, B, D-5D, 2 PIN

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Reference Voltage-Nom

200 V

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

1N6355US

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.27

操作温度

-65°C ~ 175°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/533

容差

±5%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

附加功能

METALLURGICALLY BONDED, HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

电压基准二极管

技术

ZENER

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

JESD-30代码

O-LELF-R2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

50 nA @ 152 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.4 V @ 1 A

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

500 mW

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

200 V

最大电压允差

5%

工作测试电流

0.65 mA

动态阻抗-最大值

1800 Ω