Microchip 1N6463

安装类型

通孔

包装/外壳

B, Axial

供应商器件包装

B, Axial

电阻材料

Cermet

Lead Free Status / RoHS Status

--

Supplier Package

E型壳体

Peak Pulse Power Dissipation

500 W

Direction Type

Uni-Directional

Mounting

通孔

Package

Bulk

Base Product Number

1N6463

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Breakdown Voltage / V

13.6 V

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.026455 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

22 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

500 W

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

N

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

系列

RJ-6

包装

Bulk

操作温度

-55 to 175 °C

尺寸/尺寸

Round - 0.413 Dia x 0.299 H (10.50mm x 7.60mm)

容差

±10%

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

--

温度系数

±100ppm/°C

类型

Zener

电阻

100 kOhms

应用

通用型

功率(瓦特)

0.5W, 1/2W

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

引脚数量

2

终端样式

PC引脚

工作电压

12 V

极性

单向

配置

Single

通道数量

1 Channel

电源线保护

无

电压 - 击穿

13.6V

功率 - 脉冲峰值

500W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

125A (8/20µs)

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

22.6V

箝位电压

22.6 V

电压 - 反向断态（典型值）

12V

测试电流

5 mA

单向通道

1

调整类型

Back Side Adjustment

产品类别

TVS 二极管

转弯数量

1

电容@频率

-

ESD保护

有

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes