Microchip 1N6492

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-205AF (TO-39)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

Peak Rep Rev Volt

45(V)

Peak Forward Voltage

0.68(V)

Package Type

TO-39

Product Depth (mm)

9.4(mm)

Maximum Forward Current

1200(mA)

Operating Temp Range

-65C to 175C

Rad Hardened

无

Rectifier Type

肖特基二极管

Mounting

通孔

Package

Bulk

Base Product Number

1N6492

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN

Package Style

POST/STUD MOUNT

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Min

-65 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

1N6492

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Forward Voltage-Max (VF)

0.92 V

Risk Rank

5.23

Part Package Code

BCY

Mounting Styles

通孔

操作温度

-20°C ~ 70°C

系列

SiT8209

包装

Tape & Reel (TR)

尺寸/尺寸

0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

类型

XO (Standard)

端子表面处理

锡铅

应用

EFFICIENCY

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.80

技术

Schottky

电压 - 供电

2.5V

端子位置

UPPER

终端形式

SOLDER LUG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

频率

133.3333MHz

频率稳定性

±10ppm

输出量

LVCMOS, LVTTL

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

功能

Standby (Power Down)

基本谐振器

MEMS

最大电流源

36mA

资历状况

不合格

电流 - 电源（禁用）（最大值）

70µA

配置

Single

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

接收电极

反向泄漏电流@ Vr

2 mA @ 45 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

680 mV @ 4 A

箱体转运

CATHODE

工作温度 - 结点

-65°C ~ 175°C

输出电流-最大值

1.2 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

45 V

平均整流电流（Io）

3.6A

相位的数量

1

峰值反向电流

2000(uA)

Rep Pk反向电压-最大值

45 V

JEDEC-95代码

TO-205AF

电容@Vr, F

450pF @ 5V, 1MHz

峰值非恢复性浪涌电流

80(A)

最大非代表Pk前进电流

80 A

反向电流-最大值

2000 µA

绝对牵引范围 (APR)

--

重复峰值反向电压

45

座位高度(最大)

0.039 (1.00mm)

评级结果

--