Microchip 1N759A-1

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-204AH, DO-35, Axial

供应商器件包装

DO-35

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

1N759A-1

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

O-LALF-W2

Risk Rank

5.06

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Operating Temperature-Min

-65 °C

Package Body Material

GLASS

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Reference Voltage-Nom

12 V

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package

Bulk

Base Product Number

1N759

Impedance (Max) (Zzt)

10 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Ir - Reverse Current

1 uA

Zz - Zener Impedance

30 Ohms

Ir - Maximum Reverse Leakage Current

1 uA

Pd - Power Dissipation

500 mW

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Unit Weight

0.005291 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Brand

微芯片技术

Vz - Zener Voltage

12 V

RoHS

N

Voltage Temperature Coefficient

0.062 %/C

操作温度

-65°C ~ 175°C

系列

-

包装

Bulk

容差

±5%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

冶金结合

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

Diodes & Rectifiers

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

1 µA @ 9 V

功率耗散

500

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.1 V @ 200 mA

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

500 mW

测试电流

20 mA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

12 V

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

5%

JEDEC-95代码

DO-35

工作测试电流

20 mA

电压允差

5 %

齐纳电流

30 mA

Vf-正向电压

1.1 V

产品类别

齐纳二极管

宽度

-

高度

-

长度

3.71 mm

直径

1.7 mm