Microchip 1N8166US

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SQ-MELF, A

供应商器件包装

A, SQ-MELF

Package

Bulk

Base Product Number

1N8166

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Cd - Diode Capacitance

4 pF

Breakdown Voltage / V

40.9 V

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

2.54 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

150 W

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

N

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

1N8166US

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.86

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

包装

Bulk

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

Reach合规守则

compliant

终端样式

SMD/SMT

工作电压

36 V

极性

单向

通道数量

1 Channel

电源线保护

无

电压 - 击穿

40.9V

功率 - 脉冲峰值

150W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

2.54A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

59.1V

箝位电压

59.1 V

电压 - 反向断态（典型值）

36V

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

电容@频率

-

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes