Microchip 1N825A

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

DO-35-2

底架

通孔

安装类型

通孔

表面安装

NO

引脚数

2

供应商器件包装

DO-35 (DO-204AH)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Zz - Zener Impedance

10 Ohms

Ir - Maximum Reverse Leakage Current

2 uA

Pd - Power Dissipation

500 mW

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Unit Weight

0.005291 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip Technology / Atmel

Vz - Zener Voltage

6.2 V

RoHS

N

Voltage Temperature Coefficient

0.002 %/C

Schedule B

8541100050

Package

Bulk

Base Product Number

1N825

Impedance (Max) (Zzt)

10 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.19

Part Package Code

DO-7

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Manufacturer Part Number

1N825A

Rohs Code

无

Operating Temperature-Max

175 °C

Reference Voltage-Nom

6.2 V

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Min

-65 °C

Package Body Material

GLASS

Package Style

长式

Package Description

O-LALF-W2

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 175°C

系列

-

容差

5 %

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

冶金结合

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

Diodes & Rectifiers

最大功率耗散

500 mW

技术

ZENER

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

不合格

配置

Single

阻抗

10 Ω

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

2 µA @ 3 V

功率耗散

500

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

500 mW

测试电流

7.5 mA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

6.2 V

齐纳电压

6.2 V

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

4.84%

JEDEC-95代码

DO-204AA

电压允差

1 %

齐纳电流

2 uA

电压温度系数

0.124 mV/°C

Vf-正向电压

-

产品类别

齐纳二极管

辐射硬化

无

无铅

无铅