1N825E3详情
Microchip 1N825E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
DO-204AA, DO-7, Axial
表面安装
YES
供应商器件包装
DO-7
二极管元件材料
SILICON
终端数量
3
Package
Bag
Base Product Number
1N825
Impedance (Max) (Zzt)
15 Ohms
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
RoHS
Details
Package Description
S-XXSS-N3
Package Style
特殊形状
Package Body Material
UNSPECIFIED
Reference Voltage-Nom
6.2 V
Manufacturer Part Number
1N825E3
Power Dissipation (Max)
0.475 W
Package Shape
SQUARE
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
8.02
操作温度
-65°C ~ 175°C
系列
-
包装
Bulk
容差
±5%
ECCN 代码
EAR99
附加功能
冶金结合
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
Diodes & Rectifiers
技术
ZENER
端子位置
UNSPECIFIED
终端形式
无铅
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
S-XXSS-N3
配置
SINGLE
二极管类型
泽纳电极
反向泄漏电流@ Vr
2 µA @ 3 V
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
500 mW
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
5.9 V
产品类别
齐纳二极管
最大电压允差
4.84%
JEDEC-95代码
DO-204AH
电压温度系数
0.124 mV/°C
产品类别
齐纳二极管
1N825E3拓展信息
Microchip Technology
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