1N936B详情
Microchip 1N936B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
DO-204AH, DO-35, Axial
表面安装
NO
供应商器件包装
DO-35
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Operating Temperature Classification
Military
Maximum Voltage Regulation
0.092(V)
Package Type
DO-35
Typical Voltage Temperature Coefficient
0.005%/°C(MAX)
Rev Curr
0.01(mA)
Knee Impedance
20
Rad Hardened
无
Test Current (It)
7.5(mA)
Mounting
通孔
Package
Bulk
Base Product Number
1N936
Impedance (Max) (Zzt)
20 Ohms
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Package Description
HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
Package Style
长式
Package Body Material
GLASS
Reference Voltage-Nom
9 V
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
1N936B
Power Dissipation (Max)
0.5 W
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Microsemi Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Samacsys Description
Zener Diode Single 9V 5% 20Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
1.56
Part Package Code
DO-7
Zz - Zener Impedance
20 Ohms
Pd - Power Dissipation
500 mW
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Styles
通孔
Vz - Zener Voltage
9 V
Voltage Temperature Coefficient
0.005 %/C
包装
Bag
操作温度
-65°C ~ 175°C
系列
-
容差
-
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
冶金结合
HTS代码
8541.10.00.50
技术
ZENER
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
JESD-30代码
O-LALF-W2
配置
Single
二极管类型
泽纳电极
反向泄漏电流@ Vr
10 µA @ 6 V
功率耗散
0.5(W)
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
500 mW
测试电流
7.5 mA
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
9 V
齐纳电压
9
最大电压允差
5%
JEDEC-95代码
DO-35
电压允差
5%
齐纳电流
-
电压温度系数
0.45 mV/°C
1N936B拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
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