Microchip 1N937A

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

2

供应商器件包装

DO-35 (DO-204AH)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package

Tape & Reel (TR)

厂商

SiTime

Product Status

活跃

Base Product Number

1N937

Impedance (Max) (Zzt)

20 Ohms

Ir - Reverse Current

7.5 mA

Zz - Zener Impedance

20 Ohms

Ir - Maximum Reverse Leakage Current

7.5 mA

Pd - Power Dissipation

500 mW

Maximum Operating Temperature

+ 100 C

Unit Weight

0.005291 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Vz - Zener Voltage

9 V

RoHS

N

Voltage Temperature Coefficient

0.002 %/C

Package Description

O-LALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Reference Voltage-Nom

9 V

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

1N937A

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.78

Part Package Code

DO-7

操作温度

-20°C ~ 70°C

系列

SiT8208

包装

Bulk

尺寸/尺寸

0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)

容差

±5%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

XO (Standard)

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

冶金结合

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

Diodes & Rectifiers

技术

ZENER

电压 - 供电

1.8V

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

频率

35.84 MHz

频率稳定性

±10ppm

输出量

LVCMOS, LVTTL

引脚数量

2

JESD-30代码

O-LALF-W2

功能

Enable/Disable

基本谐振器

MEMS

最大电流源

31mA

电流 - 电源（禁用）（最大值）

30mA

配置

Single

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

功率耗散

500

箱体转运

ISOLATED

扩频带宽

-

功率 - 最大

500 mW

测试电流

7.5 mA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

9 V

齐纳电压

9 V

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

5%

JEDEC-95代码

DO-35

电压允差

5 %

绝对牵引范围 (APR)

-

齐纳电流

-

电压温度系数

0.18 mV/°C

Vf-正向电压

-

产品类别

齐纳二极管

座位高度(最大)

0.031 (0.80mm)

宽度

-

高度

-

长度

4.57 mm

直径

1.91 mm

无铅

含铅

评级结果

-