2N1131
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Microchip 2N1131

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型号

2N1131

品牌

Microchip

utmel 编号

1610-2N1131

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT

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2N1131 Microchip Bipolar Transistors - BJT

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2N1131详情

Microchip 2N1131重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    面板安装

  • 底架

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    TO-39 (TO-205AD)

  • 介电材料

    Thermoplastic, Glass Filled

  • 外壳材料,完成

    Brass, Tin Plated

  • Voltage, Rating

    -

  • Package

    Bulk

  • Primary Material

    Metal

  • Base Product Number

    173110

  • 厂商

    Molex

  • Product Status

    活跃

  • Contact Materials

    Copper Alloy

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1

  • Manufacturer

    Microchip

  • Brand

    Microchip Technology / Atmel

  • RoHS

    Compliant

  • Number of Elements

    1

  • Schedule B

    8541210080, 8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080/8541210080

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    600 mA

  • 操作温度

    -25°C ~ 70°C

  • 系列

    FWD, FCT 173110

  • 包装

    Bulk

  • 终端

    焊杯

  • 连接器类型

    Receptacle, Female Sockets

  • 定位的数量

    15

  • 最高工作温度

    200 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 颜色

    -

  • 行数

    3

  • 子类别

    Transistors

  • 触点类型

    Signal

  • 额定电流

    3A

  • 最大功率耗散

    600 mW

  • 入口保护

    IP67 - Dust Tight, Waterproof

  • 触点表面处理

    Gold

  • 极性

    PNP

  • 线规

    -

  • 法兰特性

    -

  • 连接器样式

    D-Sub, High Density

  • 功率耗散

    600 mW

  • 功率 - 最大

    600 mW

  • 触点形式

    Machined

  • 外壳尺寸,连接器布局

    1 (DE, E) High Density

  • 产品类别

    BJTs - Bipolar Transistors

  • 晶体管类型

    PNP

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    40 V

  • 最大集电极电流

    600 mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    20 @ 150mA, 10V

  • 最大集极截止电流

    10mA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    1.3V @ 15mA, 150mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    40 V

  • 频率转换

    -

  • 后退间距

    -

  • 集电极基极电压(VCBO)

    50 V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    5 V

  • 特征

    -

  • 产品类别

    Bipolar Transistors - BJT

  • 触点表面处理厚度

    -

  • 材料可燃性等级

    UL94 V-0

  • 辐射硬化

0个相似型号

2N1131拓展信息

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