参数名
参数值
参数名
参数值
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供应商器件包装
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Polarity
NPN
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
800 mA
Base Product Number
2N2219
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Pd - Power Dissipation
800 mW
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
75 at 1mA, 10 VDC
Collector-Emitter Saturation Voltage
300 mV
Unit Weight
0.192949 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
通孔
Gain Bandwidth Product fT
-
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip Technology / Atmel
Maximum DC Collector Current
800 mA
DC Current Gain hFE Max
325 at 1 mA, 10 VDC
RoHS
N
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
操作温度
-55°C ~ 200°C (TJ)
系列
-
包装
Bulk
子类别
Transistors
技术
Si
配置
Single
功率耗散
3
功率 - 最大
800 mW
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
最大集极截止电流
10nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V
频率转换
-
集电极基极电压(VCBO)
75 V
连续集电极电流
800
产品类别
Bipolar Transistors - BJT