Microchip 2N2222AUB

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, No Lead

表面安装

YES

供应商器件包装

3-SMD

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Transistor Polarity

NPN

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

800 mA

Base Product Number

2N2222

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

500 mW

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

75 at 1mA, 10 VDC

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

Unit Weight

0.028612 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip Technology / Atmel

Maximum DC Collector Current

800 mA

DC Current Gain hFE Max

325 at 1 mA, 10 VDC

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

50 V

Package Description

SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3

Package Style

小概要

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

250 MHz

Manufacturer Part Number

2N2222AUB

Turn-on Time-Max (ton)

35 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Samacsys Description

Bipolar Transistors - BJT NPN G.P. TRANSISTOR

Ihs Manufacturer

OPTEK TECHNOLOGY INC

Turn-off Time-Max (toff)

300 ns

Risk Rank

3.67

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

2N2222

包装

Waffle

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-CDSO-N3

资历状况

不合格

配置

Single

功率耗散

500

功率 - 最大

500 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

50nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

75 V

最大耗散功率(Abs)

0.5 W

集电极电流-最大值(IC)

0.8 A

最小直流增益（hFE）

100

连续集电极电流

800

集电极-发射器电压-最大值

50 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT